主讲人简介：
程银芬，聘副研究员，主要从事新型二维气体传感材料的研究和MEMS气体传感器的设计与开发。近五年，个人在ACS Applied Materials & Interfaces，Journal of Colloid and Interface Science， Journal of Hazardous Materials，Journal of Materials Chemistry A，Journal of Materials Chemistry C，Applied Materials Today，iScience等国际期刊发表SCI论文近20余篇。熟练掌握二维材料的制备方法及MEMS器件的微纳加工。
主讲内容简介：
C掺杂是一种提升材料室温气体传感性能的一种有效手段。本研究采用水热法先合成了三维球状结构的In2S3，再通过简单的闪速焦耳热技术，将碳均匀掺杂到该结构中。表征结果表明，C掺杂有效调控了In2S3的电子能带结构，使其在室温下具有优异的NO2气敏性能。与纯In2S3传感器在室温下对10 ppm NO2响应极低（0.84）相比，碳掺杂In2S3传感器对10 ppm NO2表现出优异的响应（6.4），并具有较短的响应/恢复时间（140/410秒）以及完全的恢复能力。此外，该传感器还具有2.98 ppb的低检测限、良好的长期稳定性、优异的抗湿性和高选择性。C掺杂In2S3在室温下如此出色的气敏性能，归因于掺杂所引发的能带调控与光生载流子增加之间的协同效应。该研究不仅推动了闪速焦耳热碳掺杂技术的发展，也表明碳掺杂工程是设计下一代高性能、低功耗气体传感器的一种有前景的策略。
时间：2026年4月28日 下午14：00
地点： 十陵校区 2教 2412
主办单位：高等研究院
