主讲人简介：李莉， 博士，成都大学高等研究院特聘副研究员。2018年毕业于中国科学院大学-国家纳米科学中心并获得理学博士学位。主要从事低维纳米材料制备及其柔性光电器件的研究。相关成果发表在Adv. Mater., Chem. Mater., Carbon, 2D Mater.等期刊。

主讲内容简介：单晶基底材料作为低维材料制备的关键平台，其晶体取向与表面原子排布特性直接影响外延生长动力学、薄膜形核机制及最终产物的结晶质量。在众多单晶金属基底中，铜箔因其面心立方（FCC）结构的可调性与成本优势，成为石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫族化合物（TMDCs）等二维材料外延生长的理想衬底。特别值得注意的是，高指数晶面铜箔因其表面台阶-扭折原子构型和高密度的活性位点，在调控低维材料生长取向、提升薄膜均匀性以及增强催化性能方面展现出独特优势。本讲座主要介绍高指数单晶铜箔的制备方法，特别是如何快速获得不同晶面指数的高指数单晶铜箔。并且对高指数单晶铜在低维材料生长、电催化领域的具体应用进行介绍。

时    间：2025年5月22日 8:30

地    点：12229

主办单位：高等研究院