主讲人简介：钟承勇，湘潭大学凝聚态物理专业博士，成都大学特聘研究员。研究方向主要集中在低维纳米材料中电学、光学和力学物性的第一性原理研究，新型功能材料的理论设计，拓扑材料及拓扑物态的理论研究。以第一（共一）作者及通讯作者在Nature Communications，npj Computational Materials, Nanoscale和Carbon等国际著名期刊发表SCI论文9篇，并以合作身份在Advanced Materials，Advanced Functional Materials等国际期刊发表近20篇。目前主持国家自然科学基金青年基金1项。

主讲内容简介： 通过第一性原理计算，我们揭示了一个新的三维的亚稳定四方体结构（称为T5），能够被第四主族元素适配。T5-Ge和T5-Sn是一个三维的狄拉克半金属或拓扑绝缘体，取决于是否考虑自旋轨道耦合作用。T5-Ge是第一个三维具有拓扑态的Ge同素异形体，T5-Sn则是第一个在室温条件下稳定存在的三维Sn同素异形体。T5-Sn能够在2%的外加应力下保持拓扑性质，其具有的拓扑性质是不需要借助外加应力的，这有别于a-Sn的拓扑性质需要施加外加条件。总的来说，我们期望我们发现的无毒的，易制备的第四主族元素拓扑绝缘体能够给拓扑量子材料的寻找带来新的寻找方向。

时间： 2021年11月23日（星期二）上午10:00 — 11:00

地点：综合楼C423

主办单位：高等研究院

                                                                                                                                                                 高等研究院

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