主讲人简介：何俊杰，成都大学高等研究院特聘研究员，2017年9月于捷克布拉格查理大学自然科学学院获博士学位。研究工作主要集中在磁性材料与自旋电子学，光电催化和拓扑绝缘体的理论计算。已在Adv. Mater., Adv. Fun. Mater.，Nano Lett., J. Phys. Chem. Lett.等知名期刊发表SCI论文50余篇，其中第一/通讯作者25篇，引用1400余次，H指数20。

主讲内容简介： 以研究固体布洛赫电子的能谷为核心的“谷电子学(valleytronics)引起了广泛的关注。能谷一般指布洛赫电子能带的极值点处。如果材料中存在一系列具有稳定能态的能谷，原则上，这些能谷就可以作为新型的自由度用于实现信息编码和数据操作将能谷作为量子自由度加以应用的关键在于打破能谷间的对称性，即实现谷的极化。在二维材料中，谷极化的产生需要打破二维六角晶体的反演对称性。而二维的MXenes，由于表面官能团的存在，使得他们丧失了结构反演对称性，这使得他成为谷电子学材料的候选者。本讲座将介绍表面功能化对二维磁性MXenes的磁序、谷极化及量子反常霍尔效应的调控。

时间： 2021年9月14日（星期二）下午10:35—11:35

地点：综合楼C423

主办单位：高等研究院

                                                                                                                                                               高等研究院

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